Infineon, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 232-6739
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKWH40N65WR6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB2,247.99
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,405.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 120 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB74.933 | THB2,247.99 |
| 60 - 60 | THB71.188 | THB2,135.64 |
| 90 + | THB67.627 | THB2,028.81 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 232-6739
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKWH40N65WR6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 40A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 175W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.85V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 16.13 mm | |
| Length | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Height | 5.21mm | |
| Series | IKWH40N65WR6 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 40A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 175W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.85V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 16.13 mm | ||
Length 21.1mm | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Height 5.21mm | ||
Series IKWH40N65WR6 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's 40 A reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR6 IGBT comes in high creep age and clearance TO-247-3-HCC package. It is specifically optimized for PFC for RAC / CAC and Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR6 IGBT allows access to the high performance technology also for cost sensitive customers. WR6 is offering lowest VCEsat, and Esw which allows the switching frequency up to 75 kHz. WR6 IGBT also enable more reliable design with the increased clearances and creep age distances.
Monolithically integrated diode
Lowest switching losses
Improved reliability against package contamination
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 40 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH40N65WR6XKSA1 40 A 650 V Through Hole
- Infineon IHW40N65R5XKSA1 40 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH20N65WR6XKSA1 40 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW40N65H5FKSA1 40 A 650 V Through Hole
- Infineon 75 A 650 V Through Hole
- Infineon 85 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 40 A 650 V Through Hole