Infineon IKB10N60TATMA1 IGBT, 24 A 600 V TO-263
- RS Stock No.:
- 258-7725
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKB10N60TATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB313.09
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB335.005
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 940 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB62.618 | THB313.09 |
| 50 - 95 | THB51.992 | THB259.96 |
| 100 - 245 | THB44.888 | THB224.44 |
| 250 - 495 | THB41.664 | THB208.32 |
| 500 + | THB37.248 | THB186.24 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-7725
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKB10N60TATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 24A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC1 | |
| Series | TRENCHSTOPTM | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 24A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Package Type TO-263 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC1 | ||
Series TRENCHSTOPTM | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT discrete with anti parallel diode in TO-263 package. It has significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench cell and field stop concept. It has low conduction and switching losses also.
Lowest VCEsat drop for lower conduction losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
Very soft, fast recovery antiparallel emitter controlled diode
High ruggedness, temperature stable behaviour
Low gate charg
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT, 24 A 600 V TO-263
- Infineon IGBT Module, 24 A 600 V TO-220
- Infineon IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IGP10N60TXKSA1 IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon 34 A 600 V TO-263
- Infineon IKP10N60TXKSA1 IGBT Module, 24 A 600 V TO-220
- Infineon AUIRG4BC30SSTRL 34 A 600 V TO-263
- Infineon IGBT, 15 A 650 V TO-263