Infineon IGBT, 24 A 600 V TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB52,397.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB56,065.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
1000 - 1000THB52.397THB52,397.00
2000 +THB50.474THB50,474.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
258-7063
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IKB10N60TATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

24A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Package Type

TO-263

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

TRENCHSTOPTM

Standards/Approvals

JEDEC1

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT discrete with anti parallel diode in TO-263 package. It has significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench cell and field stop concept. It has low conduction and switching losses also.

Lowest VCEsat drop for lower conduction losses

Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat

Very soft, fast recovery antiparallel emitter controlled diode

High ruggedness, temperature stable behaviour

Low gate charg

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง