Infineon IKB10N60TATMA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 30 A 600 V TO-263-3

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB52,397.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB56,065.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
1000 - 1000THB52.397THB52,397.00
2000 +THB50.474THB50,474.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
258-7063
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IKB10N60TATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

110 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-263-3

Configuration

Single Collector, Single Emitter, Single Gate

The Infineon IGBT discrete with anti parallel diode in TO-263 package. It has significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench cell and field stop concept. It has low conduction and switching losses also.

Lowest VCEsat drop for lower conduction losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
Very soft, fast recovery antiparallel emitter controlled diode
High ruggedness, temperature stable behaviour
Low gate charg

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง