Bourns BIDW50N65T IGBT, 100 A 650 V TO-247
- RS Stock No.:
- 253-3509P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BIDW50N65T
- ผู้ผลิต:
- Bourns
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB1,940.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,076.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,098 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 48 | THB194.08 |
| 50 - 98 | THB183.43 |
| 100 - 248 | THB159.58 |
| 250 + | THB156.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 253-3509P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BIDW50N65T
- ผู้ผลิต:
- Bourns
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Bourns | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 100A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Bourns | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 100A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure provides a lower thermal resistance R(th).
650 V, 50 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
RoHS compliant