Infineon AIKQ120N75CP2XKSA1 IGBT, 120 A 750 V, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB427.66

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB457.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 203 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB427.66
10 - 49THB414.83
50 - 99THB398.23
100 - 149THB378.33
150 +THB355.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
248-6655
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AIKQ120N75CP2XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

120A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

750V

Maximum Power Dissipation Pd

682W

Package Type

TO-247

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

15 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

EDT2

Standards/Approvals

No

Height

5.1mm

Length

41.2mm

Width

15.9 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon Automotive IGBT discrete is an EDT2 IGBT with a co-packed diode in the TO247PLUS package, the EDT2 technology has an extremely tight parameter distribution and a positive thermal coefficient, this enables easy paralleling operation, providing system flexibility and power scalability, and the 750 V EDT technology significantly improves energy efficiency and cooling efforts for high voltage automotive applications by enabling battery voltages up to 470V and safe fast switching due to increased overvoltage margins, thus enabling high performant inverter systems.

Self limiting current under short circuit condition

Positive thermal coefficient and very tight parameter distribution for easy paralleling

Excellent current sharing in parallel operation

Smooth switching characteristics, low EMI signature

Low gate charge

Simple gate drive design

High reliability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง