Infineon IGBT, 120 A 750 V, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 248-6654
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIKQ120N75CP2XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 240 ชิ้น)*
THB95,717.28
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB102,417.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | THB398.822 | THB95,717.28 |
| 480 - 480 | THB385.661 | THB92,558.64 |
| 720 + | THB372.934 | THB89,504.16 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-6654
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIKQ120N75CP2XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 120A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 750V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 682W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 15 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 15.9 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | EDT2 | |
| Height | 5.1mm | |
| Length | 41.2mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 120A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 750V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 682W | ||
Package Type TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 15 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 15.9 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Series EDT2 | ||
Height 5.1mm | ||
Length 41.2mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Automotive IGBT discrete is an EDT2 IGBT with a co-packed diode in the TO247PLUS package, the EDT2 technology has an extremely tight parameter distribution and a positive thermal coefficient, this enables easy paralleling operation, providing system flexibility and power scalability, and the 750 V EDT technology significantly improves energy efficiency and cooling efforts for high voltage automotive applications by enabling battery voltages up to 470V and safe fast switching due to increased overvoltage margins, thus enabling high performant inverter systems.
Self limiting current under short circuit condition
Positive thermal coefficient and very tight parameter distribution for easy paralleling
Excellent current sharing in parallel operation
Smooth switching characteristics, low EMI signature
Low gate charge
Simple gate drive design
High reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon AIKQ120N75CP2XKSA1 IGBT 3-Pin TO-247
- Infineon IKQB120N75CP2AKSA1 120 A 750 V Through Hole
- Infineon IKQB160N75CP2AKSA1 200 A 750 V Through Hole
- Starpower DG200A08TCSS IGBT Discrete 3-Pin TO-247PLUS-3L
- Infineon IKQB200N75CP2AKSA1 Single Collector Single Gate IGBT 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N,
- STMicroelectronics STGW80V60DF 120 A 600 V Through Hole
- onsemi AFGY120T65SPD 120 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 120 A 600 V Through Hole