onsemi IGBT Module 1 kV Q2BOOST - Case 180BR, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
245-6989P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NXH450B100H4Q2F2SG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1kV

Maximum Power Dissipation Pd

79W

Number of Transistors

2

Package Type

Q2BOOST - Case 180BR

Mount Type

Surface

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

NXH450B100H4Q2F2SG

Length

93.1mm

Height

12.3mm

Width

47.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor Q2BOOST Module is a Si or SiC Hybrid three channel symmetric boost module. Each channel contains two 1000 V, 150 A IGBTs, two 1200 V, 30 A SiC diodes and two 1600 V, 30 A bypass diodes. The module contains an NTC thermistor.

Silicon or SiC Hybrid technology maximizes power density

Low switching loss reduces system power dissipation

Low inductive layout

Press fit and solder pin options

This Device is Pb free, Halogen Free and is RoHS Compliant