Infineon IGP20N65H5XKSA1 IGBT, 20 A 650 V TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB169.36

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB181.22

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 274 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB84.68THB169.36
10 - 98THB80.445THB160.89
100 - 248THB76.43THB152.86
250 - 498THB72.65THB145.30
500 +THB69.08THB138.16

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
242-0978
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGP20N65H5XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

20A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Package Type

TO-220

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 ±30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

29.95mm

Height

4.57mm

Series

High Speed Fifth Generation

Standards/Approvals

JEDEC

Width

10.36 mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.

Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies

Plug and play replacement of previous generation IGBTs

Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters

Mid to high range switching frequency converters

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง