Infineon IGBT, 20 A 650 V TO-220
- RS Stock No.:
- 242-0977
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGP20N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 500 ชิ้น)*
THB20,862.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB22,322.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | THB41.724 | THB20,862.00 |
| 1000 - 1000 | THB40.264 | THB20,132.00 |
| 1500 + | THB38.854 | THB19,427.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 242-0977
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGP20N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 20A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 10.36 mm | |
| Length | 29.95mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Height | 4.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 20A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Package Type TO-220 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 10.36 mm | ||
Length 29.95mm | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Height 4.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.
Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies
Plug and play replacement of previous generation IGBTs
Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters
Mid to high range switching frequency converters
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGP20N65H5XKSA1 IGBT, 20 A 650 V TO-220
- Infineon IGBT Module, 30 A 650 V TO-220
- Infineon IGBT Single Transistor IC, 28 A 650 V TO-220
- Infineon IGBT 3-Pin PG-TO-247, Through Hole
- Infineon IGBT, 141 A 1200 V TO-220
- Infineon IKP15N65H5XKSA1 IGBT Module, 30 A 650 V TO-220
- Infineon IGBT Module, 24 A 600 V TO-220
- Infineon IGBT Through Hole