ROHM RGTV80TK65DGVC11, Type N-Channel IGBT, 23 A 650 V, 3-Pin TO-3PFM, Through Hole
- RS Stock No.:
- 235-2734
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RGTV80TK65DGVC11
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 450 ชิ้น)*
THB77,577.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB83,007.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | THB172.394 | THB77,577.30 |
| 900 - 900 | THB167.222 | THB75,249.90 |
| 1350 - 2250 | THB160.533 | THB72,239.85 |
| 2700 + | THB152.506 | THB68,627.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-2734
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RGTV80TK65DGVC11
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 23A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 85W | |
| Package Type | TO-3PFM | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 23A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 85W | ||
Package Type TO-3PFM | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM RGTV series field stop trench IGBT with 2 μs short-circuit tolerance and has built in very fast & soft recovery FRD. It is suitable for PFC, solar inverter, UPS, welding and in IH applications. It has collector current of 23 A.
Low collector-emitter saturation voltage
High speed switching & low switching loss
Pb-free lead plating
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RGTV80TK65DGVC11 23 A 650 V Through Hole
- ROHM RGTV80TK65GVC11 23 A 650 V Through Hole
- Infineon C7 GOLD Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R150G7XTMA1
- Infineon C7 GOLD Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH125N60EF-T1GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- ROHM RGW60TS65HRC11 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65EHRC11 30 A 650 V Through Hole
