Infineon FF300R08W2P2B11ABOMA1 Half Bridge IGBT Module, 300 A 750 V AG-EASY2B, PCB
- RS Stock No.:
- 234-4632
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF300R08W2P2B11ABOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*
THB38,658.645
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB41,364.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | THB2,577.243 | THB38,658.65 |
| 30 - 30 | THB2,448.357 | THB36,725.36 |
| 45 + | THB2,325.939 | THB34,889.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 234-4632
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF300R08W2P2B11ABOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 300A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 750V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Package Type | AG-EASY2B | |
| Mount Type | PCB | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.18V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, UL 94 VO module frame | |
| Length | 51mm | |
| Height | 16.4mm | |
| Automotive Standard | AQG 324 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 300A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 750V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Configuration Half Bridge | ||
Package Type AG-EASY2B | ||
Mount Type PCB | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.18V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, UL 94 VO module frame | ||
Length 51mm | ||
Height 16.4mm | ||
Automotive Standard AQG 324 | ||
The Infineon IGBT module is a very Compact and flexible product offering integrated isolation for the main inverter of hybrid and electric vehicles. The module uses the Benchmark EDT2 IGBT generation allowing 750V blocking voltage and IcN of 300A. The chipset has Benchmark current density combined with short circuit ruggedness for reliable inverter operation under harsh environmental conditions.
Flexibility
Easy system assembly
Easy and Compact design
High reliability
Fully qualified and validated for automotive
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FF300R08W2P2B11ABOMA1 Half Bridge IGBT Module PCB
- Starpower GD600SGY120C2S Half Bridge IGBT Module 5-Pin Module
- Starpower GD400CUY120C2S Half Bridge IGBT Module 7-Pin Module
- Starpower GD400CLY120C2S Half Bridge IGBT Module 5-Pin Module
- Starpower GD600SGX170C2S Half Bridge IGBT Module 5-Pin Module
- Starpower GD400SGY120C2S Half Bridge IGBT Module 5-Pin Module
- Semikron SKM300GB126D N-Channel Dual Half Bridge IGBT Module 1200 V, Panel Mount
- Infineon FS75R12W2T7B11BOMA1 Full Bridge IGBT Chassis
