Infineon 1ED44175N01BXTSA1, N-Channel IGBT Gate Driver IC, 11.9 A 11.4 V, 6-Pin SOT-23, Surface

RS Stock No.:: 222-4756
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: 1ED44175N01BXTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 1ED44175N01BXTSA1, N-Channel IGBT Gate Driver IC, 11.9 A 11.4 V, 6-Pin SOT-23, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (3000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 3000)*

THB29,412.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB31,470.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB9.804	THB29,412.00
6000 - 6000	THB9.427	THB28,281.00
9000 +	THB9.307	THB27,921.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4756
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: 1ED44175N01BXTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT Gate Driver IC
	Maximum Continuous Collector Current Ic	11.9A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	11.4V
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Channel Type	N
	Pin Count	6
	Switching Speed	50ns
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	1ED44175N01B
	Standards/Approvals	JEDEC JESD47/22 and J-STD-020
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT Gate Driver IC
	Maximum Continuous Collector Current Ic 11.9A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 11.4V
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Channel Type N
	Pin Count 6
	Switching Speed 50ns
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series 1ED44175N01B
	Standards/Approvals JEDEC JESD47/22 and J-STD-020
	Automotive Standard No

Datasheet - 1ED44175N01BXTSA1

Infineon 1ED44175N01B Series IGBT Gate Driver IC, 11.4V Max Collector Emitter Voltage, 11.9A Max Continuous Collector Current - 1ED44175N01BXTSA1

This IGBT gate driver IC is a surface-mounted control device designed to drive IGBT transistors in electronic power stages. It provides gate-drive capability for switching applications across a wide temperature range and is intended for Compact assemblies where a small package and fast switching are required.

Features and Benefits:

• 11.9 A continuous collector current delivers substantial drive capacity
• 20 V gate-emitter protection limits gate voltage excursions
• 11.4 V collector-emitter rating suits low-voltage transistor stages
• 50 ns switching speed enables Rapid transition control
• 500 mW power dissipation supports low-power thermal budgets
• SOT-23 package allows Compact surface-mount placement

Applications

• Suitable for low-voltage motor inverter gate stages
• Used for fast switching in power conversion modules
• Ideal for Compact drive boards with limited space
• Can be used for thermally demanding assemblies up to 150 °C
• Used with power transistors requiring gate-emitter protection

What ambient temperature range can it operate within?

It functions from −40 °C up to 150 °C.

How many pins does the device provide for PCB routing?

The device is supplied in a 6‑pin configuration for board placement.

What mounting style is required for integration?

It is intended for surface-mount assembly in a SOT-23 footprint.

Does the part comply with recognised thermal and moisture standards?

It meets JEDEC JESD47/22 and J-STD-020 qualifications.

What channel polarity does it present for gate control?

The device employs an N-type channel configuration.