Infineon IKY75N120CS6XKSA1, Type N-Channel IGBT, 75 A 1200 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 218-4404
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKY75N120CS6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB268.93
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB287.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB268.93 |
| 8 - 14 | THB262.22 |
| 15 + | THB258.18 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-4404
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKY75N120CS6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 880W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 4 | |
| Switching Speed | 300ns | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.85V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Height | 5.1mm | |
| Length | 41.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 880W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 4 | ||
Switching Speed 300ns | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.85V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Height 5.1mm | ||
Length 41.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon high speed hard-switching TRENCHSTOP IGBT6 co-packed with a soft and fast recovery full current anti-parallel diode in a TO-247 package is designed to reach the best compromise between switching and conduction losses. It is used in industrial heating and welding and UPS system.
Lowest losses on IGBT, high system efficiency for higher power output
Fast and easy replacement of predecessor H3 technology
High device reliability and lifetime expectancy
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 75 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW75N120CH7XKSA1 75 A 1200 V Through Hole
- Infineon 75 A 1200 V Through Hole
- onsemi FGY4L75T120SWD 75 A 1200 V Through Hole
- IXYS 75 A 1200 V Through Hole
- IXYS IXGH40N120B2D1 75 A 1200 V Through Hole
- Infineon FP75R12N2T7B11BPSA1 75 A 1200 V Chassis
- Infineon 75 A 1200 V Chassis