STMicroelectronics STGWA50HP65FB2 IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 204-3944P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA50HP65FB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB1,295.42
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,386.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
เพิ่มอีก 20 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 580 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 10 | THB129.542 |
| 15 + | THB127.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 204-3944P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA50HP65FB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 86 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation | 272 W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 86 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation 272 W | ||
Package Type TO-247 | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
Maximum junction temperature of 175°C
Co-packaged protection diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive temperature coefficient
Co-packaged protection diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive temperature coefficient