onsemi, N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 200 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB40,942.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB43,808.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
200 - 398THB204.71
400 +THB201.555

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
185-8642P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AFGB40T65SQDN
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

238W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.06mm

Standards/Approvals

RoHS, Pb-Free

Width

10.67mm

Length

9.65mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Energy Rating

22.3mJ

ไม่สอดคล้อง

COO (Country of Origin):
CN
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.

VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A

Low VF soft recovery co-packaged diode

For automotive

Low conduction loss

Low noise and conduction loss

Applications

Automotive On Board Charge

Automotive DC/DC converter for HEV

End Products

EV/PHEV