STMicroelectronics STGP3HF60HD, Type N-Channel IGBT, 7.5 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,312.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,404.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB26.24THB1,312.00
100 - 150THB25.67THB1,283.50
200 +THB25.10THB1,255.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-8615
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGP3HF60HD
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

7.5A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.95V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง