STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 54 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB2,010.12

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,150.82

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 360 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB67.004THB2,010.12
60 - 90THB65.547THB1,966.41
120 +THB64.091THB1,922.73

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-6464
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGW20NC60VD
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

54A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

70ns

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.7V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.75mm

Series

SMPS

Standards/Approvals

JEDEC

Height

20.15mm

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง