MPN

Renesas Electronics RJH65T04BDPM-A0#T2, P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-3PFP, Through Hole

RS Stock No.:: 168-2480P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RJH65T04BDPM-A0#T2
ผู้ผลิต:: Renesas Electronics

ไม่พร้อมจำหน่าย

RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป

RS Stock No.:: 168-2480P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RJH65T04BDPM-A0#T2
ผู้ผลิต:: Renesas Electronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Renesas Electronics
	Maximum Continuous Collector Current	60 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±30V
	Number of Transistors	1
	Maximum Power Dissipation	65 W
	Package Type	TO-3PFP
	Mounting Type	Through Hole
	Channel Type	P
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Dimensions	15.5 x 5.5 x 26.5mm
	Gate Capacitance	1760pF
	Energy Rating	1.1mJ
	Maximum Operating Temperature	+175 °C

	เลือกทั้งหมด
	Brand Renesas Electronics
	Maximum Continuous Collector Current 60 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±30V
	Number of Transistors 1
	Maximum Power Dissipation 65 W
	Package Type TO-3PFP
	Mounting Type Through Hole
	Channel Type P
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Dimensions 15.5 x 5.5 x 26.5mm
	Gate Capacitance 1760pF
	Energy Rating 1.1mJ
	Maximum Operating Temperature +175 °C

Datasheet

IGBT product series for Power Factor Correction (PFC), UPS, solar power generation, and welding applications, recommended for 50 to 100 kHz frequencies, and not guaranteed against short circuit.

Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
Built in fast recovery diode in one package
Trench gate and thin wafer technology
High speed switching
tf = 45 ns typ. (at VCC = 400 V, VGE = 15 V, IC = 30 A, Rg = 10 , Ta=25°C , inductive load)
Operation frequency (20kHz ≤ f ˂ 40kHz)