Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 580 A 1200 V AG-62MM-1, Clamp

RS Stock No.:: 166-0902
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FF400R12KE3HOSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 580 A 1200 V AG-62MM-1, Clamp

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 10 ชิ้น)*

THB60,965.18

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB65,232.74

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 กุมภาพันธ์ 2571 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถาด*
10 - 10	THB6,096.518	THB60,965.18
20 - 30	THB5,913.623	THB59,136.23
40 +	THB5,736.216	THB57,362.16

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 166-0902
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FF400R12KE3HOSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	580A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	2000W
	Package Type	AG-62MM-1
	Mount Type	Clamp
	Channel Type	Type N
	Switching Speed	0.04μs
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Width	61.4 mm
	Length	106.4mm
	Series	62_MMC
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	30.9mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 580A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 2000W
	Package Type AG-62MM-1
	Mount Type Clamp
	Channel Type Type N
	Switching Speed 0.04μs
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Width 61.4 mm
	Length 106.4mm
	Series 62_MMC
	Standards/Approvals RoHS
	Height 30.9mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: HU

Infineon IGBT Module, 580A Maximum Continuous Collector Current, 1200V Maximum Collector Emitter Voltage - FF400R12KE3HOSA1

This IGBT module is engineered to enhance performance in various industrial applications. With dimensions of 106.4 x 61.4 x 30.9 mm, it combines high efficiency with robust specifications, offering a maximum continuous collector current of 580A and a collector-emitter voltage rating of 1200V. Its design allows for effective integration into power electronic circuits, making it an Ideal choice for those requiring reliable modular IGBT solutions.

Features & Benefits

• Maximum gate-emitter voltage of ±20V provides operational flexibility

• High power dissipation capability of 2kW supports demanding requirements

• Designed for panel mounting, ensuring easy installation in various environments

• Series configuration optimises space and operational efficiency

Applications

• Utilised in inverter circuits for industrial machinery

• Optimised for renewable energy systems, such as solar inverters

• Effective in electric vehicles and propulsion systems

• Used in heavy-duty automation equipment where high current is VITAL

What are the thermal resistance specifications for this module?

The thermal resistance from junction to case is 0.062 K/W, and from case to heatsink is 0.031 K/W, ensuring effective heat dissipation during operation.

How does this IGBT module perform under varying temperatures?

With a maximum operating temperature of +125°C and a minimum of -40°C, it is suitable for diverse environmental conditions and demanding applications.

What are the implications of the high collector current rating?

A maximum continuous collector current rating of 580A means this IGBT module can handle significant power loads, making it Ideal for high current IGBT applications in industrial settings.

Can this module handle fast switching operations effectively?

Yes, the low gate capacitance of 28nF and specified gate drive capabilities enable efficient fast switching, increasing the performance of power electronic components in circuits.