Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 1400 A 1200 V AG-PRIME3-1, Clamp

RS Stock No.:: 166-0887
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FF1400R12IP4BOSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 1400 A 1200 V AG-PRIME3-1, Clamp

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 2 ชิ้น)*

THB50,790.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB54,345.674

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 กรกฎาคม 2571 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถาด*
2 - 2	THB25,395.175	THB50,790.35
4 - 6	THB24,633.32	THB49,266.64
8 +	THB23,894.325	THB47,788.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 166-0887
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FF1400R12IP4BOSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	1400A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	7.65kW
	Package Type	AG-PRIME3-1
	Mount Type	Clamp
	Channel Type	Type N
	Switching Speed	0.97μs
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	250mm
	Standards/Approvals	EN 61140
	Height	38mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 1400A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 7.65kW
	Package Type AG-PRIME3-1
	Mount Type Clamp
	Channel Type Type N
	Switching Speed 0.97μs
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 250mm
	Standards/Approvals EN 61140
	Height 38mm
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IGBT Module, 1200V Max Collector Emitter Voltage, 1400A Max Continuous Collector Current - FF1400R12IP4BOSA1

This IGBT module provides high-power switching for demanding industrial converters and traction inverters. Engineered to operate across a broad temperature span, it delivers robust performance in high-current environments while using a clamp mount for secure installation. The package and electrical characteristics support heavy-duty power semiconductor roles in systems requiring controlled switching at elevated voltages and currents.

Features and Benefits:

• 1200V voltage rating enables high-voltage system integration
• 1400A continuous current supports heavy-duty power flows
• 2.15V low saturation voltage reduces conduction losses
• 7.65kW maximum dissipation handles intensive thermal loads
• 0.97μs switching speed permits fast power conversion
• 20V gate-emitter limit ensures safe gate‑drive margins

Applications

• Suitable for traction inverter power stages in rail systems
• Ideal for industrial motor drives with high current demand
• Used with DC-DC converters in large-scale energy storage
• Can be used for utility-scale power conversion modules
• Appropriate for heavy‑duty welding power supplies

What mounting arrangement does it require for installation?

It is designed for clamp‑style mounting to provide a secure mechanical and thermal interface.

How wide is the operational temperature range for demanding environments?

It operates from -40°C up to 150°C, allowing use in extreme ambient and enclosure conditions.

What package form factor does the device use for integration?

It comes in an AG‑PRIME3‑1 package suitable for high‑power module layouts.

How does the device’s gate rating affect gate‑drive design?

The gate-emitter limit is 20V, so gate‑drive circuits must restrict applied voltage accordingly to prevent gate damage.