MPN

Infineon, Type N-Channel IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS Stock No.:: 165-8178
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKW40N120T2FKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon, Type N-Channel IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB7,621.47

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB8,154.96

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 30	THB254.049	THB7,621.47
60 - 90	THB248.526	THB7,455.78
120 +	THB243.004	THB7,290.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-8178
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKW40N120T2FKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	40A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	480W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.2V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	TrenchStop
	Standards/Approvals	Pb-Free, RoHS, JEDEC
	Energy Rating	8.3mJ
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 40A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 480W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.2V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series TrenchStop
	Standards/Approvals Pb-Free, RoHS, JEDEC
	Energy Rating 8.3mJ
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

• Collector-emitter voltage range 1100 to 1600V

• Very low VCEsat

• Low turn-off losses

• Short tail current

• Low EMI

• Maximum junction temperature 175°C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Infineon, Type N-Channel IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V

IGBT Discretes & Modules, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง