Infineon IKP06N60TXKSA1 IGBT, 6 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- RS Stock No.:
- 145-8585
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP06N60TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,636.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,750.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB32.72 | THB1,636.00 |
| 100 - 150 | THB31.738 | THB1,586.90 |
| 200 + | THB30.786 | THB1,539.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 145-8585
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP06N60TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 6 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 88 W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Energy Rating | 0.335mJ | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Gate Capacitance | 368pF | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 6 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 88 W | ||
Package Type TO-220 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
Maximum Operating Temperature +175 °C | ||
Energy Rating 0.335mJ | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
Gate Capacitance 368pF | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Collector-emitter voltage range 600 to 650V
Very low VCEsat
Low turn-off losses
Short tail current
Low EMI
Maximum junction temperature 175°C
Very low VCEsat
Low turn-off losses
Short tail current
Low EMI
Maximum junction temperature 175°C
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKP06N60TXKSA1 IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
- STMicroelectronics STGF6NC60HD IGBT 3-Pin TO-220FP, Through Hole
- Infineon IKP20N60TXKSA1 IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IKP15N60TXKSA1 IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
- STMicroelectronics STGP5H60DF IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
- STMicroelectronics STGP6NC60HD IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
- STMicroelectronics STGP3HF60HD IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
- STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
