Infineon IGW30N60TPXKSA1 IGBT, 53 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 240 ชิ้น)*

THB8,493.12

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,087.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
240 - 240THB35.388THB8,493.12
480 - 720THB34.618THB8,308.32
960 +THB33.849THB8,123.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
133-8564
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGW30N60TPXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

53 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

200 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

1050pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

1.13mJ

COO (Country of Origin):
CN

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V


A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

• Collector-emitter voltage range 600 to 650V
• Very low VCEsat
• Low turn-off losses
• Short tail current
• Low EMI
• Maximum junction temperature 175°C

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



IGBT Discretes & Modules, Infineon


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง