Infineon FP75R12KE3BOSA1, Type N-Channel IGBT Module, 105 A 1200 V AG-ECONO3-3, Clamp
- RS Stock No.:
- 111-6095
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP75R12KE3BOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
- RS Stock No.:
- 111-6095
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP75R12KE3BOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 105A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 355W | |
| Package Type | AG-ECONO3-3 | |
| Mount Type | Clamp | |
| Channel Type | Type N | |
| Switching Speed | 0.26μs | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Height | 17mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 122mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 105A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 355W | ||
Package Type AG-ECONO3-3 | ||
Mount Type Clamp | ||
Channel Type Type N | ||
Switching Speed 0.26μs | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.2V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Height 17mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 122mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
Package styles include: 62mm Modules, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 105 A 1200 V AG-ECONO3-3, Clamp
- Infineon 200 A 1200 V AG-ECONO3-4, Clamp
- Infineon FS150R12KE3BOSA1 200 A 1200 V AG-ECONO3-4, Clamp
- Infineon 100 A 1200 V AG-ECONO3-4, Clamp
- Infineon FS100R12KT4GBOSA1 100 A 1200 V AG-ECONO3-4, Clamp
- Infineon 440 A 1200 V AG-62MM-1, Clamp
- Infineon FZ600R12KS4HOSA1 700 A 1200 V AG-62MM-2, Clamp
- Infineon 150 A 1200 V AG-34MM-1, Clamp