Infineon FP75R12KE3BOSA1, Type N-Channel IGBT Module, 105 A 1200 V AG-ECONO3-3, Clamp

RS Stock No.:: 111-6095
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP75R12KE3BOSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon FP75R12KE3BOSA1, Type N-Channel IGBT Module, 105 A 1200 V AG-ECONO3-3, Clamp

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB4,117.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,406.04

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 สิงหาคม 2571 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 2	THB4,117.79
3 - 4	THB4,014.85
5 +	THB3,953.09

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 111-6095
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP75R12KE3BOSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	105A
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	355W
	Package Type	AG-ECONO3-3
	Mount Type	Clamp
	Channel Type	Type N
	Switching Speed	0.26μs
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.2V
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Height	17mm
	Length	122mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	62mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 105A
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 355W
	Package Type AG-ECONO3-3
	Mount Type Clamp
	Channel Type Type N
	Switching Speed 0.26μs
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.2V
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Height 17mm
	Length 122mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 62mm
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

Infineon IGBT Module, 1200V Max Collector Emitter Voltage, 105A Max Continuous Collector Current - FP75R12KE3BOSA1

This IGBT module is a power semiconductor device designed to switch and control high-voltage DC in industrial converter and inverter environments. It combines insulated-gate control with high-voltage capability to support power conversion tasks across a broad operating temperature range, and is supplied in a clamp-mount package suitable for secure mechanical attachment.

Features and Benefits:

• 1200V rating enables high-voltage switching in power stages
• 105A continuous collector current for sustained load handling
• 355W maximum dissipation supports elevated power throughput
• 2.2V Vce(sat) minimises conduction losses under load
• 0.26μs switching speed reduces transition losses during switching
• ±20V gate-emitter limit ensures robust gate drive tolerance

Applications

• Suitable for 1200V IGBT module for inverters in industrial drives
• Ideal for high-power IGBT 355W converter assemblies
• Used for 105A collector current IGBT motor control systems
• Can be used for clamp-mount IGBT module power racks
• Used with non-automotive power electronics and traction testbeds

What ambient temperatures can the device tolerate during operation?

It operates correctly across a wide temperature window from -40°C to 125°C, enabling use in demanding thermal environments.

How does the package affect mounting and serviceability?

The clamp-style mounting arrangement provides firm attachment and straightforward replacement without specialised fasteners.

What electrical polarity and channel type does it use?

The device is an N-channel IGBT suitable for conventional collector-emitter switching topologies.

Are there restrictions on gate drive voltage during use?

The gate-emitter voltage must be kept within ±20V to prevent gate-oxide stress and ensure reliable switching.