Infineon IKY150N65EH7XKSA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 160 A 650 V, 4-Pin

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
285-022
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IKY150N65EH7XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

160 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

621 W

Package Type

PG-TO247-4-PLUS-NN5.1

Configuration

Single Collector, Single Emitter, Single Gate

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

4

The Infineon IGBT introduces cutting edge trench technology, optimised for low saturation voltage and reduced switching losses. It is ideal for demanding applications, providing robust performance in industrial settings. With its advanced construction, the device efficiently manages large current loads while maintaining excellent thermal stability. This component is particularly suited for electric vehicle charging systems and industrial UPS solutions, ensuring reliability and security in critical applications.

Supports a maximum collector emitter voltage of 650 V
Handles up to 150 A continuous current
Features a soft and fast recovery antiparallel diode
Qualified for industrial applications per JEDEC standards
Easy integration with well defined PSpice models
Smooth switching behaviour enhances system efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง