onsemi, Type N, Type P-Channel Half Bridge IGBT Power Module, 800 A 1.2 kV, 11-Pin PIM11, Through Hole
- RS Stock No.:
- 277-059P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH800H120L7QDSG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย 1 ชิ้น (จัดส่งในถาด)*
THB11,770.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB12,594.47
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 24 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB11,770.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 277-059P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH800H120L7QDSG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | IGBT Power Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 800A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1.2kV | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Package Type | PIM11 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Pin Count | 11 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.05V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 20.8mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 62.15mm | |
| Length | 152mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type IGBT Power Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 800A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1.2kV | ||
Number of Transistors 2 | ||
Configuration Half Bridge | ||
Package Type PIM11 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Pin Count 11 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.05V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 20.8mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 62.15mm | ||
Length 152mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ON Semiconductor Half Bridge IGBT Power Module features integrated Field Stop Trench 7 IGBTs and Gen. 7 diodes, providing lower conduction and switching losses. This design enables high efficiency and superior reliability. The module is configured as a 1200V, 800A 2-in-1 half-bridge, making it Ideal for applications that require robust performance and optimal power conversion efficiency.
NTC thermistor
Isolated base plate
Solderable pins
Low inductive layout
Pb free
