onsemi NFAM3065L4BL, Type N-Channel 3 Phase IGBT, 30 A 650 V, 39-Pin DIP-39, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,525.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,631.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 90 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB1,525.00
10 - 99THB1,372.60
100 +THB1,265.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
277-038
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NFAM3065L4BL
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

113W

Number of Transistors

6

Package Type

DIP-39

Configuration

3 Phase

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

39

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.3V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

31 mm

Height

5.6mm

Length

54.5mm

Standards/Approvals

Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
VN
The ON Semiconductor Integrated Inverter Power Module features a high-side gate driver, LVIC, six IGBTs, and a temperature sensor (VTS), making it ideal for driving PMSM, BLDC, and AC asynchronous motors. The IGBTs are arranged in a three-phase bridge with separate emitter connections for the lower legs, allowing maximum flexibility in control algorithm selection.

Active logic interface

Built in undervoltage protection

Integrated bootstrap diodes and resistors

Separate low side IGBT emitter connections for individual current sensing of each phase

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง