ROHM RGTVX6TS65GC13, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247GE, Through Hole
- RS Stock No.:
- 265-331
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RGTVX6TS65GC13
- ผู้ผลิต:
- ROHM
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB324.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB346.79
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 120 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB324.10 |
| 10 - 99 | THB291.94 |
| 100 - 499 | THB269.18 |
| 500 - 999 | THB249.38 |
| 1000 + | THB223.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-331
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RGTVX6TS65GC13
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 404W | |
| Package Type | TO-247GE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 404W | ||
Package Type TO-247GE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM IGBT features a low collector-emitter saturation voltage, making it well suited for applications such as Power Factor Correction, solar inverters, uninterruptible power supplies, welding, and induction heating. It is designed for efficient operation with a short circuit withstand time of 2 microseconds, ensuring reliable performance and protection in demanding environments. This combination of attributes enhances its effectiveness in high performance applications.
Pb free lead plating
RoHS compliant
High speed switching and low switching loss
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RGTVX6TS65DGC13 80 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW80TS65DHRC11 80 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGW40H65DFB 80 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW50N65EH5XKSA1 80 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGW40H65FB 80 A 650 V Through Hole
- Infineon IGW50N65H5FKSA1 80 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW50N65ES5XKSA1 80 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 80 A 650 V Through Hole
