ROHM RGT8BM65DGTL1, Type N-Channel IGBT, 8 A 650 V, 3-Pin TO-252GE, Surface
- RS Stock No.:
- 265-325
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RGT8BM65DGTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB528.46
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB565.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,490 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB52.846 | THB528.46 |
| 100 - 240 | THB50.223 | THB502.23 |
| 250 + | THB46.512 | THB465.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-325
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RGT8BM65DGTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 8A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62W | |
| Package Type | TO-252GE | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Series | RFN | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 8A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62W | ||
Package Type TO-252GE | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Series RFN | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM IGBT contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high current applications. The IGBT features a low collector to emitter saturation voltage, making it highly efficient for various applications. It offers a short circuit withstand time of 5 microseconds, ensuring robust performance under fault conditions. Additionally, it is equipped with a built in very fast and soft recovery fast recovery diode from the RFN series.
Low Switching Loss
Pb free lead plating
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKW08N120CS7XKSA1 8 A 1200 V Through Hole
- Infineon 8 A 1200 V Through Hole
- ROHM RGW50TS65DGC13 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW40TS65DGC13 20 A 650 V Through Hole
- ROHM RGTV00TS65DGC13 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW00TS65HRC11 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65HRC11 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65EHRC11 30 A 650 V Through Hole
