Infineon 4 kB Serial-SPI FRAM 8-Pin, FM25L04B-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู FRAM Memory ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB143.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB153.92

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 6 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB71.925THB143.85
10 - 18THB64.62THB129.24
20 - 48THB63.25THB126.50
50 - 98THB61.88THB123.76
100 +THB56.86THB113.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-7387
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FM25L04B-G
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Memory Size

4kB

Product Type

FRAM

Interface Type

Serial-SPI

Data Bus Width

8bit

Maximum Clock Frequency

20MHz

Pin Count

8

Standards/Approvals

Restriction of hazardous substances (RoHS)

Maximum Operating Temperature

85°C

Automotive Standard

No

Minimum Operating Temperature

40°C

Number of Words

512

Maximum Supply Voltage

3.6V

Number of Bits per Word

8

Minimum Supply Voltage

2.7V

The Infineon FRAM is a 4 Kbit non volatile memory employing an Advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is non volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by serial flash, EEPROM and other non volatile memories. Unlike serial flash and EEPROM, it performs write operations at bus speed. No write delays are incurred. Data is written to the memory array immediately after each byte is successfully transferred to the device. The next bus cycle can commence without the need for data polling. In addition, the product offers substantial write endurance compared with other non volatile memories.

RoHS compliant

Low power consumption

Very fast serial peripheral Interface

Sophisticated write protection scheme

High endurance 100 trillion read and write

Advanced high reliability ferroelectric process

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง