Winbond SLC NAND 2 GB Parallel Flash Memory 63-Pin VFBGA, W29N02GZBIBA

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB600.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB642.374

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 52THB300.175THB600.35
54 - 104THB292.675THB585.35
106 +THB288.165THB576.33

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
188-2874
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
W29N02GZBIBA
ผู้ผลิต:
Winbond
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Winbond

Memory Size

2GB

Product Type

Flash Memory

Interface Type

Parallel

Package Type

VFBGA

Pin Count

63

Mount Type

Surface

Cell Type

SLC NAND

Maximum Supply Voltage

1.95V

Minimum Supply Voltage

1.7V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

85°C

Length

11.1mm

Height

0.6mm

Standards/Approvals

No

Series

W29N02GZ

Supply Current

20mA

Number of Bits per Word

8

Maximum Random Access Time

25μs

Number of Words

256M

Automotive Standard

No

Density : 2Gbit (Single chip solution)

Vcc : 1.7V to 1.95V

Bus width : x8 x16

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Industrial Plus: -40°C to 105°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 2G-bit/256M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

1,056 words (1024 + 32 words)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

64 pages (64K + 2K words)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command

Additional command suppo

Copy Back

Two-plane operation

Contact Winbond for OTP f

Contact Winbond for Block

Lowest power consumption

Read: 13mA(typ.)

Program/Erase: 10mA(typ.)

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

63-ball VFBGA

2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

Support OTP Memory Area

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง