Winbond SLC NAND 1Gbit Parallel Flash Memory 63-Pin VFBGA, W29N01HZBINA

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB931.41

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB996.61

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 15 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 15 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 50THB186.282THB931.41
55 - 100THB181.628THB908.14
105 +THB178.834THB894.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
188-2785
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
W29N01HZBINA
ผู้ผลิต:
Winbond
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Winbond

Memory Size

1Gbit

Interface Type

Parallel

Package Type

VFBGA

Pin Count

63

Organisation

128M x 8 bit

Mounting Type

Surface Mount

Cell Type

SLC NAND

Minimum Operating Supply Voltage

1.7 V

Maximum Operating Supply Voltage

1.95 V

Block Organisation

Symmetrical

Length

11.1mm

Height

0.6mm

Width

9.1mm

Dimensions

11.1 x 9.1 x 0.6mm

Number of Words

128M

Series

W29N

Maximum Random Access Time

25µs

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Number of Bits per Word

8bit

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Density : 1Gbit (Single chip solution)
Vcc : 1.7V to 1.95V
Bus width : x8 x16
Operating temperature
Industrial: -40°C to 85°C
Single-Level Cell (SLC) technology.
Organization
Density: 1G-bit/128M-byte
Page size
2,112 bytes (2048 + 64 bytes)
1,056 words (1024 + 32 words)
Block size
64 pages (128K + 4K bytes)
64 pages (64K + 2K words)
Highest Performance
Read performance (Max.)
Random read: 25us
Sequential read cycle: 25ns
Write Erase performance
Page program time: 250us(typ.)
Block erase time: 2ms(typ.)
Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)
10-years data retention
Command set
Standard NAND command s
Additional command support
Copy Back
Lowest power consumption
Read: 13 mA(typ.)
Program/Erase:10mA(typ)
CMOS standby: 10uA(typ.)
Space Efficient Packaging
48-pin standard TSOP1
48-ball VFBGA
63-ball VFBGA
68-ball WLCSP

1Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8
Random Read: 25us
Page Program Time: 250us(typ.)
Block Erase Time: 2ms(typ.)

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง