Winbond SLC NAND 2Gbit Parallel Flash Memory 63-Pin VFBGA, W29N02GVBIAF

ดู Flash Memory ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 210 ชิ้น)*

THB30,850.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB33,009.69

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
210 - 210THB146.906THB30,850.26
420 - 630THB143.674THB30,171.54
840 +THB140.589THB29,523.69

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
188-2556
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
W29N02GVBIAF
ผู้ผลิต:
Winbond
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Winbond

Memory Size

2Gbit

Interface Type

Parallel

Package Type

VFBGA

Pin Count

63

Organisation

256M x 8 bit

Mounting Type

Surface Mount

Cell Type

SLC NAND

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Block Organisation

Symmetrical

Length

11.1mm

Height

0.6mm

Width

9.1mm

Dimensions

11.1 x 9.1 x 0.6mm

Number of Words

256M

Maximum Random Access Time

25µs

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Number of Bits per Word

8bit

Series

W29N

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Density : 2Gbit (Single chip solution)
Vcc : 2.7V to 3.6V
Bus width : x8
Operating temperature
Industrial: -40°C to 85°C
Single-Level Cell (SLC) technology.
Organization
Density: 2G-bit/256M-byte
Page size
2,112 bytes (2048 + 64 bytes)
Block size
64 pages (128K + 4K bytes)
Highest Performance
Read performance (Max.)
Random read: 25us
Sequential read cycle: 25ns
Write Erase performance
Page program time: 250us(typ.)
Block erase time: 2ms(typ.)
Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(2)
10-years data retention
Command set
Standard NAND command set
Additional command support
Sequential Cache Read
Random Cache Read
Cache Program
Copy Back
Two-plane operation
Contact Winbond for OTP feature
Contact Winbond for block Lock feature
Lowest power consumption
Read: 25mA(typ.3V)
Program/Erase: 25mA(typ.3V)
CMOS standby: 10uA(typ.)
Space Efficient Packaging
48-pin standard TSOP1
63-ball VFBGA

2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8
Random Read: 25us
Page Program Time: 250us(typ.)
Block Erase Time: 2ms(typ.)
Support OTP Memory Area

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง