onsemi 1 Darlington Transistor NPN, 4 A 60 V dc HFE:1000, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB471.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB504.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
20 - 20THB23.587
30 +THB23.225

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
186-7907P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
2N6387G
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Darlington Transistor

Maximum Continuous Collector Current Ic

4A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

60V dc

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain hFE

1000

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V dc

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Collector Base Voltage VCBO

60V dc

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.53mm

Height

15.75mm

Series

2N6388

Maximum Collector Cut-off Current

1mA

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Power 8A 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

High DC Current Gain - hFE=2500 (Typ) @Ic=4.0 Adc

Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc, Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6387, Vceo (sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6388

Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc , Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6387, Vceo (sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6388

Low Collector-Emitter Saturation Voltage- Vce(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ Ic=5.0 Adc

Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors

T0-220AB Compact Package