onsemi MSC2712GT1G Digital Transistor, 50 V NPN 100 mA Surface SC-59, 3-Pin
- RS Stock No.:
- 186-8882
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MSC2712GT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB216.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB231.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,750 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | THB4.323 | THB216.15 |
| 750 - 1450 | THB4.215 | THB210.75 |
| 1500 + | THB4.15 | THB207.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-8882
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MSC2712GT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Package Type | SC-59 | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 50V | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 60V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 0.5V | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 100mA | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 200 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 7V dc | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Width | 1.7 mm | |
| Length | 3.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 1.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Package Type SC-59 | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 50V | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 60V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 0.5V | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 100mA | ||
Minimum DC Current Gain hFE 200 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 7V dc | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Width 1.7 mm | ||
Length 3.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 1.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SC-59 package, which is designed for lower power surface mount applications.
Moisture Sensitivity Level: 1
ESD Rating: TBD
Pb-Free Packages are Available
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Digital Transistor 3-Pin
- onsemi Digital Transistor 3-Pin
- onsemi MUN2212T1G Digital Transistor 3-Pin
- onsemi MUN2232T1G Digital Transistor 3-Pin
- onsemi Digital Transistor 3-Pin
- onsemi SMUN2211T1G Digital Transistor 3-Pin
- ROHM DTD113ZKT146 Digital Transistor 3-Pin
- onsemi DTC114EET1G Digital Transistor 3-Pin
