onsemi NSS40200LT1G Digital Transistor, -40 V PNP Surface SOT-23, 3-Pin
- RS Stock No.:
- 186-8585
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSS40200LT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB179.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB192.275
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,775 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB7.188 | THB179.70 |
| 750 - 1475 | THB7.008 | THB175.20 |
| 1500 + | THB6.90 | THB172.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-8585
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSS40200LT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -40V | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | -40V | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 250 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 7V dc | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 540mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | e2PowerEdge | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Package Type SOT-23 | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -40V | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO -40V | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Minimum DC Current Gain hFE 250 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 7V dc | ||
Maximum Power Dissipation Pd 540mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Series e2PowerEdge | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Length 3.04mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Low VCE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.
High Current, Low VCE(sat), ESD Robust, High Current Gain, High Cut Off Frequency, Low Profile Package, Linear Gain (Beta)
NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP capable
Benefits
Improved Circuit Efficiency, Decreased Battery Charge Time, Reduce component count, High Frequency Switching, Smaller Portable Product, No distortion
Applications
Load Switching, Battery Charging, External Pass Transistor, DC/DC Converter, Complimentary Driver, Current Extention & Low Drop Out Regulation, Cathode Florescent Lamp drive, Peripheral Driver - LEDs, Motors, Relays
