onsemi MJH11019G Digital Transistor, -200 V PNP Through Hole SOT-93, 3-Pin

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB342.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB366.34

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 164 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 6THB171.19THB342.38
8 - 14THB166.915THB333.83
16 +THB164.345THB328.69

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
186-8066
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MJH11019G
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Digital Transistor

Package Type

SOT-93

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

-200V

Mount Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

150V

Transistor Polarity

PNP

Minimum DC Current Gain hFE

100

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Height

20.35mm

Standards/Approvals

No

Width

4.9 mm

Length

15.2mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP), MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) are complementary devices.

High DC Current Gain @ 10 Adc - hFE = 400 Min (All Types)

Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) MJH11018, 17 VCEO(sus) = 200 Vdc (Min) - MJH11020, 19 VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) - MJH11022, 21

Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.2 V (Typ) @ IC = 5.0 A VCE(sat) = 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A

Monolithic Construction

Pb-Free Packages are Available

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง