onsemi MJH11019G Digital Transistor, -200 V PNP Through Hole SOT-93, 3-Pin
- RS Stock No.:
- 186-8066
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJH11019G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB342.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB366.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 164 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | THB171.19 | THB342.38 |
| 8 - 14 | THB166.915 | THB333.83 |
| 16 + | THB164.345 | THB328.69 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-8066
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJH11019G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Package Type | SOT-93 | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -200V | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 150V | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 100 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Height | 20.35mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.9 mm | |
| Length | 15.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Package Type SOT-93 | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -200V | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 150V | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Minimum DC Current Gain hFE 100 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Height 20.35mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.9 mm | ||
Length 15.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP), MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) are complementary devices.
High DC Current Gain @ 10 Adc - hFE = 400 Min (All Types)
Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) MJH11018, 17 VCEO(sus) = 200 Vdc (Min) - MJH11020, 19 VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) - MJH11022, 21
Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.2 V (Typ) @ IC = 5.0 A VCE(sat) = 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A
Monolithic Construction
Pb-Free Packages are Available
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi MJH11019G PNP Digital Transistor 3-Pin SOT-93
- onsemi TIP35AG NPN Digital Transistor 3-Pin SOT-93
- onsemi UMZ1NT1G Dual NPN/PNP Digital Transistor 50 V, 6-Pin SOT-363
- onsemi TIP35CG NPN Transistor 3-Pin SOT-93
- onsemi MJE4343G NPN Transistor 160 V, 3-Pin SOT-93
- onsemi TIP36CG PNP Transistor 40 (Peak) A 100 V dc HFE:15, 3-Pin SOT-93
- onsemi MMBT4124LT1G NPN Digital Transistor 25 V, 3-Pin SOT-23
- onsemi MMBT3906LT1G PNP Transistor -40 V, 3-Pin SOT-23
