onsemi MJH11019G Digital Transistor, -200 V PNP Through Hole SOT-93, 3-Pin
- RS Stock No.:
- 186-8066
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJH11019G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB342.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB366.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 164 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | THB171.19 | THB342.38 |
| 8 - 14 | THB166.915 | THB333.83 |
| 16 + | THB164.345 | THB328.69 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-8066
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJH11019G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Package Type | SOT-93 | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -200V | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 150V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V dc | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 100 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Width | 4.9 mm | |
| Length | 15.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 20.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Package Type SOT-93 | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -200V | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 150V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V dc | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Minimum DC Current Gain hFE 100 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Width 4.9 mm | ||
Length 15.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 20.35mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP), MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) are complementary devices.
High DC Current Gain @ 10 Adc - hFE = 400 Min (All Types)
Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) MJH11018, 17 VCEO(sus) = 200 Vdc (Min) - MJH11020, 19 VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) - MJH11022, 21
Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.2 V (Typ) @ IC = 5.0 A VCE(sat) = 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A
Monolithic Construction
Pb-Free Packages are Available
