onsemi FJB102TM Dual NPN Digital Transistor, 100 V, 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Stock No.:
- 186-8055
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FJB102TM
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB352.99
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB377.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | THB35.299 | THB352.99 |
| 200 - 390 | THB34.417 | THB344.17 |
| 400 + | THB33.887 | THB338.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-8055
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FJB102TM
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Transistor Type | NPN | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V | |
| Package Type | D2PAK (TO-263) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Maximum Power Dissipation | 80 W | |
| Minimum DC Current Gain | 200 | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Pin Count | 2 + Tab | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Dimensions | 10.67 x 9.65 x 4.58mm | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Transistor Type NPN | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V | ||
Package Type D2PAK (TO-263) | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Maximum Power Dissipation 80 W | ||
Minimum DC Current Gain 200 | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Emitter Base Voltage 5 V | ||
Pin Count 2 + Tab | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.58mm | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
FJB102: 100V High Voltage Power Darlington Transistor
High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= 4 V, IC= 3 A (Min.)
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Collector-Emitter Sustaining Voltage
Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors
Industrial Use
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FJB102TM Dual NPN Digital Transistor 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi BUB323ZT4G NPN Digital Transistor 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi MJB45H11T4G PNP Digital Transistor 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi MJB45H11G PNP Digital Transistor 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi NJVMJD45H11G PNP Digital Transistor 2 + Tab-Pin DPAK
- onsemi FGD3245G2-F085 Digital Transistor 2 + Tab-Pin DPAK
- onsemi MJD44H11RLG NPN Digital Transistor 2 + Tab-Pin DPAK
- onsemi NSV1C201MZ4T1G NPN Digital Transistor 3 + Tab-Pin SOT-223
