onsemi Digital Transistor N-Channel 4.8 A Surface WDFN, 8-Pin
- RS Stock No.:
- 186-7155
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDMB3800N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 186-7155
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDMB3800N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Package Type | WDFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 4.8A | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 8 | |
| Height | 800μm | |
| Width | 1.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Package Type WDFN | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 4.8A | ||
Transistor Polarity N-Channel | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 8 | ||
Height 800μm | ||
Width 1.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3mm | ||
Automotive Standard No | ||
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using an advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Max rDS(on) = 40mΩ at VGS = 10V, ID = 4.8A
Max rDS(on) = 51mΩ at VGS = 4.5V, ID = 4.3A
Fast switching speed
Low gate Charge
High performance trench technology for extremely low rDS(on)
High power and current handling capability.
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FDMB3800N Digital Transistor N-Channel 4.8 A Surface WDFN, 8-Pin
- onsemi Digital Transistor N-Channel Surface, 6-Pin
- onsemi Digital Transistor N-Channel Surface SOT-223, 3-Pin
- onsemi Digital Transistor N-Channel Surface, 2-Pin
- onsemi Digital Transistor N-Channel Surface SOT-23, 3-Pin
- onsemi Digital Transistor N-Channel 2.6 A Surface SOT-223, 3-Pin
- onsemi FDMC8462 Digital Transistor N-Channel Surface PQFN, 8-Pin
- onsemi NTHD3100CT1G Digital Transistor N-Channel and P-Channel Surface ChipFET, 8-Pin
