onsemi MJB44H11G Transistor, 20 A NPN, 80 V dc, 4-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB404.04

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB432.32

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 210 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 10THB40.404THB404.04
20 - 20THB39.392THB393.92
30 +THB38.787THB387.87

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
184-4959
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MJB44H11G
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

20A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

80V dc

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Minimum Operating Temperature

-55°C

Minimum DC Current Gain hFE

60

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V dc

Maximum Transition Frequency ft

1MHz

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

10.29 mm

Height

4.83mm

Standards/Approvals

No

Length

11.05mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJB44H11 (NPN) and MJB45H11 (PNP) are complementary devices.

Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A

Fast Switching Speeds

Complementary Pairs Simplifies Designs

NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP Capable

These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง