onsemi MJB44H11G Transistor, 20 A NPN, 80 V dc, 4-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 184-4959
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJB44H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB416.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB445.29
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 80 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 50 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB41.616 | THB416.16 |
| 20 - 20 | THB40.574 | THB405.74 |
| 30 + | THB39.951 | THB399.51 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-4959
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJB44H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 80V dc | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 60 | |
| Maximum Transition Frequency ft | 1MHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V dc | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Height | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 11.05mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 80V dc | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Minimum DC Current Gain hFE 60 | ||
Maximum Transition Frequency ft 1MHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V dc | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Height 4.83mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 11.05mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJB44H11 (NPN) and MJB45H11 (PNP) are complementary devices.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP Capable
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free
