onsemi MJB44H11G Transistor, 20 A NPN, 80 V dc, 4-Pin TO-263

RS Stock No.:: 184-4959
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: MJB44H11G
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi MJB44H11G Transistor, 20 A NPN, 80 V dc, 4-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB416.16

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB445.29

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 40 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB41.616	THB416.16
20 - 20	THB40.574	THB405.74
30 +	THB39.951	THB399.51

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 184-4959
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: MJB44H11G
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	20A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	80V dc
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Transition Frequency ft	1MHz
	Minimum DC Current Gain hFE	60
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	5V dc
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	4
	Height	4.83mm
	Length	11.05mm
	Standards/Approvals	No
	Width	10.29mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 20A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 80V dc
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Transition Frequency ft 1MHz
	Minimum DC Current Gain hFE 60
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V dc
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 4
	Height 4.83mm
	Length 11.05mm
	Standards/Approvals No
	Width 10.29mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet MJB44H11G

The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJB44H11 (NPN) and MJB45H11 (PNP) are complementary devices.

Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A

Fast Switching Speeds

Complementary Pairs Simplifies Designs

NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP Capable

These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free

onsemi MJB44H11G Transistor, 20 A NPN, 80 V dc, 4-Pin TO-263

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง