onsemi Transistor, 10 A NPN, 40 V, 3-Pin TO-225
- RS Stock No.:
- 184-4314
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJE200G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 กล่อง กล่องละ 500 ชิ้น)*
THB6,455.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,907.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อกล่อง* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | THB12.911 | THB6,455.50 |
| 1000 - 1500 | THB12.523 | THB6,261.50 |
| 2000 + | THB12.148 | THB6,074.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-4314
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJE200G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 40V | |
| Package Type | TO-225 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 25V dc | |
| Maximum Transition Frequency ft | 10MHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 15W | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 10 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 8V dc | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Height | 27.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | MJE200 | |
| Length | 8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 40V | ||
Package Type TO-225 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 25V dc | ||
Maximum Transition Frequency ft 10MHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 15W | ||
Minimum DC Current Gain hFE 10 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 8V dc | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Height 27.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Series MJE200 | ||
Length 8mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power and high gain audio amplifier applications. The MJE200 (NPN) and MJE210 (PNP) are complementary devices.
High DC Current Gain
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Current-Gain - Bandwidth Product
Annular Construction for Low Leakage
These Devices are Pb-Free