onsemi Transistor, 20 A NPN, 80 V, 4-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 184-4309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJB44H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,024.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,165.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB40.483 | THB2,024.15 |
| 100 - 150 | THB39.269 | THB1,963.45 |
| 200 + | THB38.091 | THB1,904.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-4309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJB44H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 80V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Maximum Transition Frequency ft | 1MHz | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 60 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 10.29 mm | |
| Length | 11.05mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 80V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Maximum Transition Frequency ft 1MHz | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 60 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 10.29 mm | ||
Length 11.05mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJB44H11 (NPN) and MJB45H11 (PNP) are complementary devices.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP Capable
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi MJB44H11G NPN Transistor 80 V dc, 3 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
- STMicroelectronics MJB44H11T4-A NPN Transistor 80 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi MJD44H11-1G NPN Transistor 80 V dc, 3 + Tab-Pin DPAK
- onsemi MJB45H11T4G PNP Digital Transistor 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi MJB45H11G PNP Digital Transistor 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi SBCP56-10T1G NPN Digital Transistor 3 + Tab-Pin SOT-223
- onsemi BUB323ZT4G NPN Digital Transistor 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi FJB102TM Dual NPN Digital Transistor 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
