onsemi Transistor, 20 A NPN, 80 V, 4-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 184-4309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJB44H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,024.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,165.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB40.483 | THB2,024.15 |
| 100 - 150 | THB39.269 | THB1,963.45 |
| 200 + | THB38.091 | THB1,904.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-4309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJB44H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 80V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 60 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Transition Frequency ft | 1MHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Width | 10.29 mm | |
| Length | 11.05mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 80V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 60 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Transition Frequency ft 1MHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Width 10.29 mm | ||
Length 11.05mm | ||
Height 4.83mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJB44H11 (NPN) and MJB45H11 (PNP) are complementary devices.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP Capable
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi MJB44H11G Transistor 80 V, 4-Pin TO-263
- STMicroelectronics Bipolar Transistor 80 V, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MJB44H11T4-A Bipolar Transistor 80 V, 3-Pin TO-263
- onsemi Transistor 80 V, 4-Pin SOT-223
- onsemi Transistor 80 V, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics Transistor 80 V, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics D44H11 Transistor 80 V, 3-Pin TO-220
- onsemi PZTA06 Transistor 80 V, 4-Pin SOT-223