onsemi MJB44H11G Transistor, 20 A NPN, 80 V dc, 4-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 184-4309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJB44H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,024.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,165.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB40.483 | THB2,024.15 |
| 100 - 150 | THB39.269 | THB1,963.45 |
| 200 + | THB38.091 | THB1,904.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-4309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJB44H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 80V dc | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V dc | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 60 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Maximum Transition Frequency ft | 1MHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Length | 11.05mm | |
| Width | 10.29mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 80V dc | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V dc | ||
Minimum DC Current Gain hFE 60 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Maximum Transition Frequency ft 1MHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Length 11.05mm | ||
Width 10.29mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJB44H11 (NPN) and MJB45H11 (PNP) are complementary devices.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP Capable
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi MJB44H11G Transistor 80 V dc, 4-Pin TO-263
- STMicroelectronics Bipolar Transistor 80 V, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MJB44H11T4-A Bipolar Transistor 80 V, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics Transistor 80 V, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics D44H11 Transistor 80 V, 3-Pin TO-220
- onsemi MJK44H11TWG Bipolar Transistor 80 V dc, 4-Pin LFPAK4 5x6
- onsemi MJD44H11-1G Bipolar Transistor 80 V dc, 4-Pin DPAK
- onsemi NJVMJK44H11TWG Bipolar Transistor 80 V dc, 4-Pin SOT-669