onsemi BDV64BG Bipolar Transistor, -10 A PNP, -100 V, 3-Pin TO-218
- RS Stock No.:
- 184-4188
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BDV64BG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB2,111.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,259.69
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 390 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | THB70.395 | THB2,111.85 |
| 150 - 270 | THB67.579 | THB2,027.37 |
| 300 + | THB64.763 | THB1,942.89 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-4188
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BDV64BG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -100V | |
| Package Type | TO-218 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 100V dc | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 1000 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V dc | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 41.91mm | |
| Length | 16.26mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | BDV64B | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -100V | ||
Package Type TO-218 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 100V dc | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Minimum DC Current Gain hFE 1000 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V dc | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 41.91mm | ||
Length 16.26mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Series BDV64B | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The 10 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor is for use as an output devices in complementary general purpose amplifier applications. The BDV65B (NPN) and BDV64B (PNP) are complementary devices.
High DC Current Gain HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc
Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistors
These devices are available in Pb-free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb-free devices