onsemi MJH11020G Transistor, 30 A NPN, 250 V, 3-Pin TO-218

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB415.89

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB445.002

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 6THB207.945THB415.89
8 - 14THB202.745THB405.49
16 +THB199.63THB399.26

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
184-1168
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MJH11020G
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

30A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

250V

Package Type

TO-218

Mount Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

200V

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Minimum DC Current Gain hFE

100

Maximum Transition Frequency ft

1MHz

Transistor Polarity

NPN

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Standards/Approvals

No

Length

16.26mm

Height

33.15mm

Automotive Standard

No

The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications.

High DC Current Gain @ 10 Adc -

hFE = 400 Min (All Types)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) MJH11018, 17

VCEO(sus) = 200 Vdc (Min) - MJH11020, 19

VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) - MJH11022, 21

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat) = 1.2 V (Typ) @ IC = 5.0 A

VCE(sat) = 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A

Monolithic Construction

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง