onsemi 2N5550TFR Transistor, 600 mA NPN, 140 V, 3-Pin TO-92
- RS Stock No.:
- 166-3206
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N5550TFR
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB2,850.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,050.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB1.425 | THB2,850.00 |
| 4000 - 6000 | THB1.382 | THB2,764.00 |
| 8000 + | THB1.341 | THB2,682.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-3206
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N5550TFR
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 600mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 140V | |
| Package Type | TO-92 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 160V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Transition Frequency ft | 300MHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 6V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 20 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 625mW | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | 2N5550 | |
| Height | 21.77mm | |
| Length | 5.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 600mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 140V | ||
Package Type TO-92 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 160V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Transition Frequency ft 300MHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 6V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 20 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 625mW | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series 2N5550 | ||
Height 21.77mm | ||
Length 5.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Small Signal NPN Transistors, Over 100V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Transistor 140 V, 3-Pin TO-92
- onsemi MMBT5550LT1G NPN High Voltage Transistor 140 V dc, 3-Pin SOT-23
- onsemi KSP2222ABU Transistor 40 V, 3-Pin TO-92
- onsemi Transistor 30 V, 3-Pin TO-92
- onsemi Transistor 40 V, 3-Pin TO-92
- onsemi 2N5551BU Transistor 160 V, 3-Pin TO-92
- onsemi 2N5551TA Transistor 160 V, 3-Pin TO-92
- onsemi Digital Transistor 40 V, 3-Pin TO-92