Nexperia PBSS9110T,215 PNP Transistor, -1 A, -100 V, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 166-0432
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PBSS9110T,215
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB10,410.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB11,130.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 08 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB3.47 | THB10,410.00 |
| 6000 - 9000 | THB3.366 | THB10,098.00 |
| 12000 + | THB3.265 | THB9,795.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-0432
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PBSS9110T,215
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Transistor Type | PNP | |
| Maximum DC Collector Current | -1 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -100 V | |
| Package Type | SOT-23 (TO-236AB) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Maximum Power Dissipation | 480 mW | |
| Minimum DC Current Gain | 150 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz | |
| Pin Count | 3 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Dimensions | 1 x 3 x 1.4mm | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Transistor Type PNP | ||
Maximum DC Collector Current -1 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage -100 V | ||
Package Type SOT-23 (TO-236AB) | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Maximum Power Dissipation 480 mW | ||
Minimum DC Current Gain 150 | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage 120 V | ||
Maximum Emitter Base Voltage 5 V | ||
Maximum Operating Frequency 100 MHz | ||
Pin Count 3 | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Dimensions 1 x 3 x 1.4mm | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
Bipolar Transistors, Nexperia