Nexperia PBSS5160U,115 Transistor, -1 A PNP, -60 V, 3-Pin UMT
- RS Stock No.:
- 485-353
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PBSS5160U,115
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB140.22
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB150.04
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 420 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB7.011 | THB140.22 |
| 760 - 1480 | THB6.836 | THB136.72 |
| 1500 + | THB6.731 | THB134.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 485-353
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PBSS5160U,115
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -1A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -60V | |
| Package Type | UMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 80V | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 100 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 415mW | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Transition Frequency ft | 185MHz | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | PBSS5160U | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2mm | |
| Height | 0.95mm | |
| Width | 1.25 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -1A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -60V | ||
Package Type UMT | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 80V | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 100 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 415mW | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Transition Frequency ft 185MHz | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series PBSS5160U | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2mm | ||
Height 0.95mm | ||
Width 1.25 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.