Microchip 2N2222AUB Bipolar Transistor, 800 mA NPN, 50 V dc, 3-Pin UBC
- RS Stock No.:
- 333-115
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N2222AUB
- ผู้ผลิต:
- Microchip
ยอดรวมย่อย (1 กล่อง กล่องละ 49 ชิ้น)*
THB18,836.776
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB20,155.366
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 294 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อกล่อง* |
|---|---|---|
| 49 + | THB384.424 | THB18,836.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 333-115
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N2222AUB
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 800mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 50V dc | |
| Package Type | UBC | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | 2N2222A | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 800mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 50V dc | ||
Package Type UBC | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Pin Count 3 | ||
Series 2N2222A | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistor is a 3 pin small signal BJT designed for high reliability applications in radiation prone environments. With a voltage rating of 40V, current capacity of 800mA, and power dissipation of 500mW, it provides efficient switching performance. This transistor is specifically engineered to withstand radiation exposure, making it ideal for use in space, military, and other demanding applications where durability and stable operation are critical.
Qualified per MIL-PRF-19500/255