Toshiba 2SA1962-O(Q) Transistor, -15 A PNP, -230 V, 3-Pin TO-3PN
- RS Stock No.:
- 184-880
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2SA1962-O(Q)
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB121.06
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB129.53
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 101 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 19 | THB121.06 |
| 20 - 49 | THB118.04 |
| 50 - 99 | THB115.09 |
| 100 + | THB112.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-880
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2SA1962-O(Q)
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -15A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -230V | |
| Package Type | TO-3PN | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 230V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 55 | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 130W | |
| Maximum Transition Frequency ft | 30MHz | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 19mm | |
| Length | 15.9mm | |
| Width | 4.8 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | 2SA1962 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -15A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -230V | ||
Package Type TO-3PN | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 230V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 55 | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Power Dissipation Pd 130W | ||
Maximum Transition Frequency ft 30MHz | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 19mm | ||
Length 15.9mm | ||
Width 4.8 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Series 2SA1962 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
PNP Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba 2SA1986-O(Q) PNP Transistor -230 V, 3-Pin TO-3PN
- Toshiba 2SA1943-O(Q) PNP Transistor -230 V, 3-Pin TO-3PL
- Toshiba 2SA1987-O(Q) PNP Transistor -230 V, 3-Pin TO-3PL
- Toshiba 2SC5358-O(Q) NPN Transistor 230 V, 3-Pin TO-3PN
- Toshiba 2SC5242-O(Q) NPN Transistor 230 V, 3-Pin TO-3PN
- Toshiba 2SA1943N(S1S) PNP Transistor -230 V, 3-Pin TO-3PN
- Toshiba 2SC5200N(S1S) NPN Transistor 230 V, 3-Pin TO-3PN
- Toshiba 2SC5198-O(Q) NPN Transistor 140 V, 3-Pin TO-3PN
