STMicroelectronics MJD112T4 Transistor, 2 A NPN, 100 V, 3-Pin DPAK
- RS Stock No.:
- 151-413P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJD112T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 200 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB3,980.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,259.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,820 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 200 - 480 | THB19.903 |
| 500 - 980 | THB18.434 |
| 1000 - 1980 | THB16.963 |
| 2000 + | THB16.337 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-413P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJD112T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 2A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 100V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 200 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20W | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 6mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 6.4m | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 2A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 100V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 200 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20W | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 6mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 6.4m | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Transistors, This device is manufactured in Planar technology with base island layout and monolithic Darlington configuration.
Good hFE linearity
High fT frequency
